Tecnologias em sistemas de circuitos integrados
The crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The Moore’s Law is presented and its end is questioned. Also, the consequences th...
Autor principal: | Silva, Matheus Vidoti da |
---|---|
Formato: | Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) |
Idioma: | Português |
Publicado em: |
Universidade Tecnológica Federal do Paraná
2020
|
Assuntos: | |
Acesso em linha: |
http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052 |
Tags: |
Adicionar Tag
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
id |
riut-1-6052 |
---|---|
recordtype |
dspace |
spelling |
riut-1-60522020-11-09T19:20:18Z Tecnologias em sistemas de circuitos integrados Silva, Matheus Vidoti da Neli, Roberto Ribeiro Rocha, Fabio Dallavecchia Staniszewski, Louisie Aristides Neli, Roberto Ribeiro Semicondutores complementares de óxido metálico Circuitos integrados Transistores Semicondutores Metal oxide semiconductors, Complementary Integrated circuits Transistors Semiconductors CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA::MATERIAIS ELETRICOS The crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The Moore’s Law is presented and its end is questioned. Also, the consequences that limit CMOS transistors scaling are discussed, which would be approximately 20 nm for the gate length. Lastly, new technologies that have a potential to overcome CMOS technologies, as the CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor) and SpinFET (Spin field-effect transistor), are presented. O crescente mercado de semicondutores faz com que cada vez mais pesquisas sejam direcionadas a esta área que tem como principal tecnologia a CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor, semicondutor de metal-óxido complementar). Este trabalho é uma revisão bibliográfica baseada principalmente nas bases de dados IEEE e Science Direct. A Lei de Moore é apresentada e seu fim é questionado. São discutidas as consequências que limitam a redução do tamanho do transistor CMOS, e que o limite seja de aproximadamente 20 nm para o comprimento do canal. Por fim são apresentadas tecnologias como o CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor, transistor de efeito de campo de nanotubo de carbono) e o SpinFET (Spin field-effect transistor, transistor de efeito de campo de spin), que tem um potencial para substituírem a tecnologia CMOS. 2020-11-09T19:20:18Z 2020-11-09T19:20:18Z 2018-06-18 bachelorThesis SILVA, Matheus Vidoti da. Tecnologias em sistemas de circuitos integrados. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Eletrônica) – Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Campo Mourão, 2018. http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052 por embargoedAccess application/pdf Universidade Tecnológica Federal do Paraná Campo Mourao Brasil Departamento Acadêmico de Eletrônica Engenharia Eletrônica UTFPR |
institution |
Universidade Tecnológica Federal do Paraná |
collection |
RIUT |
language |
Português |
topic |
Semicondutores complementares de óxido metálico Circuitos integrados Transistores Semicondutores Metal oxide semiconductors, Complementary Integrated circuits Transistors Semiconductors CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA::MATERIAIS ELETRICOS |
spellingShingle |
Semicondutores complementares de óxido metálico Circuitos integrados Transistores Semicondutores Metal oxide semiconductors, Complementary Integrated circuits Transistors Semiconductors CNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELETRICA::MATERIAIS ELETRICOS Silva, Matheus Vidoti da Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
description |
The crescent semiconductor market aims more and more researches at it’s main technology, CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor). This paper is a literature review based on the databases IEEE and Science Direct. The Moore’s Law is presented and its end is questioned. Also, the consequences that limit CMOS transistors scaling are discussed, which would be approximately 20 nm for the gate length. Lastly, new technologies that have a potential to overcome CMOS technologies, as the CNTFET (Carbon nanotube field-effect transistor) and SpinFET (Spin field-effect transistor), are presented. |
format |
Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) |
author |
Silva, Matheus Vidoti da |
author_sort |
Silva, Matheus Vidoti da |
title |
Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
title_short |
Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
title_full |
Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
title_fullStr |
Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
title_full_unstemmed |
Tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
title_sort |
tecnologias em sistemas de circuitos integrados |
publisher |
Universidade Tecnológica Federal do Paraná |
publishDate |
2020 |
citation |
SILVA, Matheus Vidoti da. Tecnologias em sistemas de circuitos integrados. 2018. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Engenharia Eletrônica) – Universidade Tecnológica Federal do Paraná, Campo Mourão, 2018. |
url |
http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/handle/1/6052 |
_version_ |
1805313082226900992 |
score |
10,814766 |